Циліндричний фотоелектричний датчик циліндричної конструкції (Ø18 мм) забезпечує-виявлення на великій відстані до 3 метрів і забезпечує над-час відгуку менше 1 мс. Використовуючи вдосконалену технологію обробки цифрового сигналу, він пропонує покращені можливості захисту від-перешкод. Серія GPS має чотири різні режими виявлення, що забезпечує користувачам більшу гнучкість для широкого спектру застосувань. Виготовлений із матеріалів преміум-класу та передових-технологій виробництва, а також за підтримки команди експертів-інженерів-фотоелектриків, цей продукт забезпечує спрощене технічне обслуговування та оптимізовану проводку для користувачів.
Особливості циліндричного фотоелектричного датчика
- Тип постійного струму має схеми захисту-від короткого замикання та захисту від зміни полярності.
- Комунікаційний тип оснащено ланцюгом поглинання перенапруги, щоб уникнути пошкодження від перенапруги.
- Уся серія має режими виходу NPN і PNP для задоволення різноманітних вимог до проводки керування
- Міцна структура IP65 підходить для різних середовищ.
- Усі моделі оснащені світловими індикаторами для легкого встановлення та налаштування.
- Унікальний вертикальний дизайн і установка економлять більше місця.
- Сильний захист від-перешкод, робоча температура 0 градусів ---+55 градусів ;
- Універсальний фотоелектричний вимикач зі стабільною роботою та низькою ціною.
- Вбудований-підсилювач, універсальний високо{1}}функціональний фотоелектричний перемикач, сертифікований CE;
- Рівень захисту IP65 (водонепроникний і масло{1}}захищений тип), висока герметичність;
- Відстань виявлення дифузного відбиття буває великою, над-надвеликою відстанню виявлення та наскрізним-променем.
- З функцією захисту від зворотної полярності, захисту від короткого замикання та зворотного підключення фаз.
- Анти-вібрація (IEC) і анти-статичні перешкоди;
- Відстань поділяється на регульовану та не-регульовану типи з високою точністю.
- Термін служби перевищує 10 мільйонів разів, а якість гарантується протягом двох років.
Різниця між вихідними станами NPN і PNP циліндричного фотоелектричного датчика
(1) Різниця вихідної напруги
Ключова відмінність між циліндричним фотоелектричним датчиком NPN і PNP полягає в рівнях вихідної напруги. Перемикачі типу NPN-видають низький рівень, тоді як перемикачі типу PNP-видають високий рівень.
Причина: коли сигнал запускає фотоелектричний перемикач, тип NPN підключає лінію вихідного сигналу (OUT) до GND (заземлення). Оскільки GND NPN підключено до Vee (негативний контакт джерела живлення постійного струму), лінія OUT фактично видає низький рівень. З іншого боку, тип PNP підключає лінію вихідного сигналу (OUT) до VCC (плюсової клеми джерела живлення постійного струму), в результаті чого лінія OUT видає високий рівень.
(2) Внутрішні підключення комутатора
Внутрішнє підключення перемикачів NPN і PNP відрізняється:
У типах NPN внутрішній перемикач з’єднує сигнальну клему з мінусовою клемою (GND).
У типах PNP внутрішній перемикач з’єднує сигнальну клему з плюсовою клемою (VCC).
(3) Лінійні підключення вихідного сигналу
NPN: при спрацьовуванні лінія вихідного сигналу (OUT) підключається до GND, ефективно виводячи низький рівень.
PNP: при спрацьовуванні лінія вихідного сигналу (OUT) підключається до VCC, ефективно виводячи високий рівень.
(4) Поведінка сигналу
NPN: у стані за замовчуванням вихідний сигнал залишається з низьким потенціалом. При виявленні сигналу він перемикається на високий потенціал.
PNP: у стані за замовчуванням вихідний сигнал залишається з високим потенціалом. При виявленні сигналу він перемикається на низький потенціал.
Поради щодо запобіжних заходів щодо циліндричного фотоелектричного датчика
1. Різні матеріали виявляються на різних відстанях виявлення;
2. Монтаж: гвинтовий монтаж. Через вплив температури та напруги його зазвичай встановлюють на 85% від номінальної відстані виявлення;
3. Тестову поверхню слід регулярно очищати від металевого пилу та інших відкладень, щоб уникнути впливу на продуктивність;
4. Температура робочого середовища: -25 градусів ~+65 градусів; Відносна вологість: 35-95% HR;
5. Вібрація: Стійкість: 10~55 Гц із комплексною амплітудою 1,5 мм, 2 години для X, Y та Z;
6. Удар: Міцність: 500 м/с (приблизно 50 г), 10 разів у напрямках X, Y, Z;
7. При використанні в середовищі сильного магнітного поля рекомендується використовувати екрановані дроти;
Популярні Мітки: циліндричний фотоелектричний датчик, Китай циліндричний фотоелектричний датчик виробники, постачальники, фабрика
